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PERC电池制程详解
2019-08-17 12:36
原理：一定浓度、一定温度条件下，碱溶液与硅片反应，各向异性腐蚀；
Principle：Etching silicon in anisotropic KOH solution;
目的：去除表面损伤层，降低表面反射率；
Purpose：Saw damage remove and reduce surface reflection;
化学反应式（chemical equation）：Si + 2KOH + H2O → K2SiO3 + 2H2↑
绒面结构（Surface structure）
原理：采用三氯氧磷（POCl3）液态源扩散方法，在硅片表面形成N型层；
Principle：POCl3 liquid diffusion, forming N type Si on surface;
目的：形成PN结（太阳电池核心单元）；
Purpose： Forming PN junction;
化学反应式（chemical equation） ：5POCl3→3PCl5+P2O5（High T）2P2O5+5Si→5SiO2+4P↓
原理：采用激光，在硅片表面形成局域重掺杂N型层；
Principle：Use laser to form heavy N type Si （local） on surface;
目的：形成局域重掺杂N型层；
Purpose： Forming heavy N type Si （local） on surface;
原理：实现硅片的单面腐蚀；
Principle： Single side etch of silicon wafer;
目的：PN结边缘隔离和背面抛光；
Purpose： Isolation of PN junction and polishing.
化学反应式（chemical equation） ：Si+4HNO3 → SiO2+4NO2↑+2H2O SiO2+4HF → SiF4↑+2H2O SiF4+2HF → H2SiF6
原理：在表面生长SiO2钝化膜；
Principle：Grow SiO2 film on surface;
目的：提升开路电压,提升效率。
Purpose： Increase Voc, improve efficiency.
化学反应式（chemical equation） ：
Si+O2 → SiO2
原理：PECVD沉积AlOx+SiNx薄膜；
Principle： PECVD deposition of AlOx+SiNx thin film;
目的：制备背面钝化介质层；
Purpose： Rear side AlOx/SiNx dielectric layer.
工艺流程（process flow）：
PECVD/ARC原理：PECVD沉积SiNx减反射膜；
Principle： PECVD deposition of Anti-reflective coating;
目的：表面钝化和降低反射率；
Purpose： Surface passivation and reduce reflection.
原理：激光消融背面介质层；
Principle： Laser ablation of dielectric layer；
目的：形成局域背场接触，收集电流；
Purpose：Forming local BSF（back surface filed) to collect current.
丝网印刷&烧结（Screen printing& Co-firing）：
PERC电池需使用专用银铝浆料，使电池性能达到最优。
PERC cell use special Ag&Al paste，for optimum of cell performance.
原理：
Principle：
目的：降低光衰减；
Purpose：Decrease LID.
